2018电磁兼容学术论坛在我校举行

时间:2018-10-10作者:朱玉玉/文 刘芳池/图浏览次数:548设置

10月8日,中国绵阳·2018电磁兼容学术论坛在我校办公楼302隆重举行。来自IEEE EMC协会主席、IBM工程师、IEEE Fellow、密苏里科技大学客座教授Bruce Archambeault博士,IEEE EMC杂志主编、IEEE Fellow、台湾国立大学Tzong-Lin Wu教授,IEEE EMC杂志前任主编、IEEE Fellow、意大利拉奎拉大学Antonio Orlandi教授,IEEE Fellow、韩国先进技术研究院Joungho Kim教授和IEEE Fellow密苏里科技大学James L. Drewniak教授IEEE Fellow范峻教授,以及Intel、电子科技大学、中国电子科技集团公司第九研究所等多家国内外单位的60余位专家学者,学校科技处、信息工程学院有关负责人和师生代表参与了论坛,共同分享电磁兼容领域的最新研究成果和发展趋势。范峻主持论坛。

西南科技大学党委书记陈永灿出席论坛并致辞。陈永灿代表学校向参加本次学术论坛的各位国内外专家表示欢迎,并向与会嘉宾简要介绍了西南科技大学学科建设情况以及近年来所取得的成绩。他说,本次学术论坛学校邀请了多位在电磁兼容领域具有重要影响力的世界知名专家来校作特邀报告,共同分享电磁领域的最新研究成果和发展趋势,这将对促进国际间学术交流,深化校企合作,推动学校在信息学科建设、人才培养、科学研究等方面起到积极作用。陈永灿预祝论坛圆满召开,并希望与会专家能借此机会深入交流,相互启迪,增进了解,建立友谊,为电磁兼容领域的发展作出贡献。

8日上午,Bruce Archambeault教授作了题为《Using State of the Art Software Tools to Help Insure Effective EMC Design》的报告吴宗霖教授作了题为《Overview of RF Frontend and EMC Technology for 5G Communication in NUT》的报告Antonio Orlandi教授作了题为《Planar EBG structures for PI/SI Application &Common Mode Filtering》的报告。

8日下午,Joungho Kim教授作了题为《TeraByte/s Bandwidth HBM (High-bandwidth Memory Module) Designs for Artificial Intelligent Server Applications》的报告James L. Drewniak教授作了题为《EMC for Emerging Technologies》的报告。

与会专家学者踊跃发言,热烈探讨,就学科热点问题进行了广泛交流,会议取得圆满成功。

  (赵多 编辑)(信息学院 供稿)

 

返回原图
/